ITO靶材的核心用途是在磁控濺射工藝中作為“濺射源”。磁控濺射是一種常見的薄膜沉積技術，通過高能離子轟擊靶材表面，使靶材原子被“敲擊”出來，終沉積在基板上，形成一層均勻的ITO薄膜。這層薄膜厚度通常在幾十到幾百納米之間，卻能同時實現(xiàn)導電和透光的功能。
制造ITO靶材是一項技術密集型的工作，涉及從原料配比到成型加工的多個環(huán)節(jié)。高質量的ITO靶材需要具備高密度、均勻性和穩(wěn)定性，而這些要求背后隱藏著復雜的工藝和諸多挑戰(zhàn)。
冷等靜壓法
工藝流程：將混合粉末裝入柔性模具，在室溫下通過高壓（100-300兆帕）壓制成型，隨后在較低溫度下燒結固化。
優(yōu)點：工藝相對簡單，生產成本較低，適合小批量或定制化生產。
缺點：靶材密度和均勻性稍遜，可能在高功率濺射中表現(xiàn)不夠穩(wěn)定。
適用場景：中低端電子產品或實驗室研發(fā)用靶材。
這兩種方法各有千秋，制造商需要根據(jù)具體需求權衡成本與性能。
在智能手機、平板電腦、超清電視的光滑屏幕背后，ITO靶材（氧化銦錫）是賦予其透明導電魔力的核心材料。作為ITO靶材的關鍵成分，銦（In）的穩(wěn)定供應直接關系到全球萬億級顯示產業(yè)的命脈。然而，這種稀散金屬的地緣分布不均（中國儲量占全球70%以上）和原生礦產的有限性，使得銦的回收再利用不再是環(huán)保課題，更成為保障產業(yè)、實現(xiàn)供應鏈韌性的“閉環(huán)”革命。
